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直流电流-电压 (I-V) 范围:10 aA - 1A 0.2 µV - 210 V 电容-电压 (C-V) 范围:1 kHz - 10 MHz ± 30V 直流偏置
脉冲 I-V 范围:±40 V (80 V p-p),±800 mA 200 MSa/s,5 ns 采样率
高电流和高电压 高压模式:3 kV/120 mA 200 V/10 A
大电流模式:40 V/50 A 200 V/10 A
采样率:6.25 GS/s 测试范围:2000 V / 4000 A
短路电流:10000 A
器件类型: SiC MOSFET & Si IGBT 封装类型:不同封装功率模块 电控单元 单管(TO247封装)
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